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功率半导体新材有望列入国家计划,华微电子迎弯道超车机会

   近来,民进中心拟提交“关于推进我国918博天堂航母功率半导体工业科学开展的提案”。提案中说到,当时从全球功率半导体商场看,一方面传统的硅资料功率半导体依然有巨大的开展空间,另一方面以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体资料正蓬勃开展,而我国碳化硅、氮化镓功率半导体器材研制起步晚,在技能上仍有很大距离。可喜的是,在国家多项科研计划的扶持下,这方面现已大幅缩小了与世界的技能距离,并获得了不少成果。     跟着工业、轿车、无线通讯和消费电子等范畴新使用的不断涌现以及节能减排需求日益火急,我国功率半导体有巨大的商场需求,简单催生新工业新技能,在国家方针利好下,功率半导体将成为“我国芯”的最好打破口。     为此,民进中心主张:     一、进一步完善功率半导体工业开展方针,大力扶持硅资料功率半导体芯片技能攻关,立项支撑硅资料功率半导体资料、芯片、器材等规划和制作工艺流程技能。经过多年布局和开展,我国在硅资料 IGBT芯片技能方面有必定的技能根底和沉积,能够将会集打破硅资料6代功率芯片产品规划及批量制作工艺技 术作为开展要点,采纳先易后难、处理“有无”问题的开展战略,赶快完成功率半导体芯片自主供应。     二、加大新资料科技攻关。大数据传输、云核算、AI 技能、物联网,包含下一步的动力传输,对网络传输速度及容量提出了越来越高的要求,大功率芯片的商场需求非常大。从工业开展趋势看,碳化硅、氮化镓等新资料使用于功率半导体优势显着,是下一代功率半导体的核心技能方向。     现在碳化硅、氮化镓商场处于起步阶段,国内厂商与海外传统巨子之间距离较小,国内企业有望在本乡商场使用中完成弯道超车。     一是要把功率半导体新资料研制列入国家计划,全面布置,极力抢占战略制高点;     二是引导企业活跃满意未来的使用需求,进行前瞻性布局。推进功率半导体龙头企业着力霸占一批工业开展要害技能、使用技能难题,在世界竞争中抢占先机;     三是要防止对新概念的过热炒作。新资料从发现潜力到工业化,需求树立起高效的产学研系统,打造愈加敞开容纳的投资环境。     三、慎重支撑收买国外功率半导体企业。经过收买很难完成彻底学会和把握世界先进的功率半导体芯 片规划及制作工艺技能,一起海外工厂制作的产品依然存在着无法出口到我国的风险。     业界指出,功率半导体关系到我国智能电网高铁动力系统、轿车动力系统等要害零部件的国产化进程,是关系到高铁工业、轿车工业自主可控的战略性工业。国家方针的支撑将加快我国高端功率器材的开展进程,未来商场空间宽广。     其间,内功率半导体器材龙头企业华微电子在2019年年报中表明,公司具有4英寸、5英寸与6英寸等多条功率半导体晶圆生产线,产品掩盖IGBT芯片、MOSFET芯片和IC芯片,处于国内职业领先地位;一起,8英寸生产线项目第一期估计在2020年6月通线,将进一步进步公司的制作才能。     在IGBT范畴,公司将进行重要布局。公司表明将拓宽白色家电、工业变频、UPS和新动力范畴IGBT产品的比例;开发新一代Trench FS IGBT产品渠道,产品要害参数功能较上一代进步15%;关于新动力车用芯片,推出自主规划集成电流传感器和温度传感器的IGBT芯片和配套的模块计划,进步产品功率密度和功率,习惯电控系统的轻量化要求。     现在,国内商场上出售的IGBT、低压trench-MOS和超结MOS产品多为进口产品,产品价格较高。据布告,公司8英寸产品具有进口代替优势,拟使用在新动力轿车、变频家电和厨房电源三大范畴。与进口同类产品比较,生产成本较低,产品价格估计会有较强的商场竞争力。     现在公司产品现已向新动力轿车、变频家电、工业和光伏新式范畴快速拓宽,并已获得杰出作用。公司已树立从高端二极管、单双向可控硅、MOS系列产品到第六代IGBT国内最完全、最具竞争力的功率半导体器材产品系统,正逐渐由单一器材供货商向全体处理计划供货商改变。
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