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质疑对手技术进展真实性,三星将公开10纳米级制程DRAM电路线宽

5月7日音讯 因为质疑竞赛对手的技能发展,三星决议揭露自家DRAM产品的电路线宽,以显现三星在该范畴的技能抢先地位。据韩媒报导,三星预备打破DRAM业界传统,将发布自家DRAM产品电路线宽。
 
据了解,DRAM电路线宽被业界认定为衡量存储器公司技能才能的重要目标,DRAM的电路线宽越窄,其功率功率就越高。 因而,曩昔DRAM业界的传统便是不清晰揭露相关产品的切当电路线宽。
 
并且,跟着DRAM制程技能在2016年进入10纳米级制程后,DRAM制造商也遍及达到一致,经过不揭露相关参数来防止过度竞赛。 原因首要在于进入到10纳米级制程后,电路线宽每缩小1纳米,需求2到3年的研制投入,如此长的研制时刻意味着以技能议题为营销卖点的含义并不大。
 
根据以上要素,在曩昔的5到6年间,全球DRAM厂商事实上从未的确的宣告过DRAM产品的电路线宽数字。这也是DRAM工业遍及将2016年推出的10纳米级制程归类为第一代1x纳米制程,将2018年推出的10纳米级制程归类为第二代1y纳米制程,以及在同一年推出的10纳米级制程归类为第三代1z纳米制程,之后于2021年头面世的第四代10纳米级制程,将其称之为1a纳米制程。
 
报导中着重,就因为DRAM厂商遍及将10纳米级制程以1x纳米制程、1y纳米制程、1z纳米制程等来称号,所以很难切当比较如三星的1z纳米制程DRAM和美光的1z纳米制程DRAM在电路线宽上的差异。为此,三星决议抛弃传统的含糊化表述,估计将发布旗下各 10 纳米级制程 DRAM 产品电路线宽。除了提醒三星对本身制程技能的决心外,这好像也预示着这一范畴的技能竞赛将再次剧烈化。
 
三星表明,将在2021年下半年量产1a纳米制程DRAM,该产品的电路线宽为14纳米。 事实上,三星是全球第一家在 2016 年头开端量产第一代 1x 纳米制程 DRAM 的公司,量产时刻抢先SK 海力士和美光大约半年到1年。 到了2019年开宣告1z纳米制程DRAM前,即便三星没有发布其DRAM电路线宽,却也无人否定三星在DRAM工业中处于技能抢先地位。
 
抢先局势在第四代1a纳米制程DRAM产品上被打破。 全球第三大DRAM制造商美光在2021年1月宣告,已开宣告全球首个1a纳米制程DRAM,且已投入量产,这使得美光在技能上一口气逾越了此前的龙头三星。 面临这一状况,三星主管DRAM的DS事务高层表明了忧心与不满,他以为三星曩昔出产的1x、1y和1z纳米制程DRAM的功能远远优于竞赛对手,现在在技能上被逾越是很大的冲击,并且对美光声称的1a纳米制程DRAM的实际状况表明置疑。
 
据悉,三星不只置疑美光夸张其1a纳米制程DRAM的效能,并且,因为至今未看到美光宣告相关产品的相片,也质疑其1a纳米制程DRAM是否已真的可进行大规模量产。 因而,三星决议清晰发布其下各代10纳米级制程DRAM的电路线宽数字。
 
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